在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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庞若鸣的出走，恰好在这个节骨眼上发生，难免让外界对 Meta 超级智能实验室的前景多打几个问号。硅谷不相信忠诚，最顶级的 AI人才争夺战，也远未到终局。至于小扎能否得偿所愿，我们很快就会知晓。
此次转让，也被视作央企邮轮资产优化、行业进入结构性调整的信号，近期行业内多艘邮轮进行了调整部署。，推荐阅读爱思助手下载最新版本获取更多信息