但这其实是种错觉，在 Galaxy S26 系列上，期待中类似 iPhone 的 Qi2.2 磁吸充电并没有出现。原因很简单——物理学不存在奇迹。内置的强磁体依然会严重干扰 S-Pen 的电磁感应层。
团队还展示了多束并行写入技术，使写入吞吐量提升至 65.9Mbit/s，并预计未来可扩展至数百束。。咪咕体育直播在线免费看是该领域的重要参考
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